- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/223 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse
Détention brevets de la classe H01L 21/223
Brevets de cette classe: 343
Historique des publications depuis 10 ans
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
51 |
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1282 |
20 |
International Business Machines Corporation | 60644 |
18 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
16 |
Infineon Technologies AG | 8189 |
15 |
Applied Materials, Inc. | 16587 |
13 |
Kioxia Corporation | 9847 |
9 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
8 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
8 |
Sandisk Technologies LLC | 5684 |
6 |
Intel Corporation | 45621 |
5 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
5 |
Lam Research Corporation | 4775 |
5 |
Intevac, Inc. | 127 |
5 |
ION Beam Services | 33 |
5 |
Toshiba Corporation | 12017 |
4 |
Mitsubishi Electric Corporation | 43934 |
4 |
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
4 |
Boe Technology Group Co., Ltd. | 35384 |
4 |
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
4 |
Autres propriétaires | 134 |